| 产品种类: | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 |
| 制造商: | NXP |
| 晶体管极性: | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压: | 68 V |
| 技术: | Si |
| 工作温度: | + 150 C |
| 安装风格: | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体: | TO-270 EP |
| 封装: | Reel |
| 商标: | NXP / Freescale |
| 通道模式: | Enhancement |
| 配置: | Single |
| 高度: | 2.08 mm |
| 长度: | 9.7 mm |
| ***小工作温度: | - 65 C |
| Vgs - 栅极-源极电压: | - 0.5 V, 12 V |
| 宽度: | 5.97 mm |
| 单位重量: | 548 mg |
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发布日期 ：2019-01-02 10:15访问：1次发布IP：115.45.18.51编号：4366219
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