| 产品种类: | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 | |
| 制造商: | NXP | |
| RoHS: |
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| 晶体管极性: | N-Channel | |
| Vds-漏源极击穿电压: | 65 V | |
| 技术: | Si | |
| 增益: | 16 dB | |
| 输出功率: | 24 W | |
| 最大工作温度: | + 150 C | |
| 安装风格: | SMD/SMT | |
| 封装 / 箱体: | NI-780S-4 | |
| 封装: | Reel | |
| 商标: | NXP / Freescale | |
| 配置: | Single | |
| 工作频率: | 1.88 GHz to 2.025 GHz |
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发布日期 ：2019-04-01 09:30访问：1次发布IP：115.45.18.51编号：4371386
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