产品种类: | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 | |
制造商: | NXP | |
RoHS: | ||
晶体管极性: | N-Channel | |
Vds-漏源极击穿电压: | 65 V | |
技术: | Si | |
增益: | 16 dB | |
输出功率: | 24 W | |
最大工作温度: | + 150 C | |
安装风格: | SMD/SMT | |
封装 / 箱体: | NI-780S-4 | |
封装: | Reel | |
商标: | NXP / Freescale | |
配置: | Single | |
工作频率: | 1.88 GHz to 2.025 GHz |